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  • ꁙ设备产能
    ꁰ稼动率
    ꁑ工艺节拍
    ꁔ电极间距
    ꁨ硅片尺寸
    ꁒ电源频率
    ꁢ温度范围

    设备参数

    设备特点

    · 采用In-Line直通式线列结构

    · 大面积载板、RF/VHF放电系统,快速工艺节拍

    · 模块化结构,腔室间配备独立门阀,不同工艺有隔离室隔离,避免交叉污染

    · 热壁结构的内放电气盒,有效控制射频放电区域和工艺稳定性

    · RPS在线清洗,降低维护成本和时间,提高设备开机率

    · 高度紧凑的腔室内部空间,迅速达到工艺所需的真空度和温度,节约泵组、加热用电

    PECVD产线

    PECVD产线

  • 设备特点

    · In-Line线列式溅射系统,双面同时在线溅射镀膜 

    · 配备大功率长寿命旋转阴极,实现了界面层超低损伤镀膜

    · 灵活可变的ITO地损伤沉积技术

    · 在线载板清洗技术,降低维护成本和时间,提高开机率

    · 复合氧化膜透明导电设计,大幅度降低电池制造过程中的非硅成本

     

    ꁙ设备产能
    ꁰ稼动率
    ꁑ硅片尺寸
    ꁔ阴极数量
    ꁦ换靶方式
    ꁓ载板下回传系统
    ꁦ载板材质
    ꁒ工艺节拍
    ꁢ膜厚均匀性
    ꁨ碎片率

    设备参数

    PVD产线

    PVD产线

    PVD产线

    PVD产线

  • 设备特点

    · 具有离化率高、膜层致密性高、高能中性粒子密度大、绕镀性好、低电压和大电流的特点

    · 操作简单、安全,结构紧凑,工艺稳定性高

    · 对比其它镀膜技术,具有明显的性能优势

    · 适合科研和生产推广

     

    ꁙ规格型号
    ꂐ加热温度
    ꁰ真空内腔
    ꁑ工件尺寸
    ꁢ旋转工件架
    ꀹ工作气体
    끔软件特性
    ꄡ极限真空
    념设备外形尺寸
    HCD450设备

    HCD450设备

    设备参数

    · HCD450是一种空心阴极反应离子镀膜设备,通过弧光放电形成的高密度等离子体使金属原子的离化率大大增加,可以更方便地沉积高质量反应膜层。主要应用于半导体、工具工业、光伏等应用领域,是下一代高效太阳能电池钙钛矿电池的核心研发设备

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